如果说高林森是华夏芯片教父，那么江长在就是世界芯片奇才！
相信公司一旦拥有了这两人，就是如虎添翼，那未来不用说，必然是钱途一片光明！
最终，高林森还是被许飞扬的钞能力打动了，决定响应许飞扬的号召，到华夏建半导体芯片厂！
双方直接在律师的见证下签订了合同，然后高林森迅速赶回弯弯来操作起来！
至于款项，由于顾忌弯弯的阻挠，约定了转移后再进行支付，免得被截住！
周末中午，许飞扬如愿以偿的见到了江长在！
这时候的江长在虽然号称是“弯弯电积研发6位骑士”，但还没有像后期一样为天下人所熟知，名气还未到达巅峰！与高林森相比差的远了！
但按照历史的发展，后期在研发制造生产芯片领域里江长在已经是超神了，一览众山小！拥有着改天换地一般的神奇力量！
江长在自由勤奋好学，学习成绩优异，之后他来到了历史悠久且是研究型大学的加利福亚尼大学伯利克分校学习机电专业读博！。
正是因为在大学期间表现优异，并且取得多项研究成果，让他在毕业之后收到了来自各个知名企业抛出的橄榄枝，在经过深思熟虑之后，江长在选择加入米国威超半导体公司，简称ADM，而这个公司就是专门为计算机以及消费电子行业的设计以及制造各种微处理器的公司！
在研究过程中，他还获得了多达181件半导体相关技术的发明专利，这足以证明江长在对于半导体的研究是非常具有天赋且实力强大的。而他所发表的相关论文以及半导体研究技术不仅成功引起了米国相关企业以及研究人员的关注，同时也成为了国内研究人员最好的借鉴资料。
在弯弯电积工作时，他也十分幸运地见到了他在米国的导师胡明正先生，而他的导师也是在2001年时加入了弯弯电积工作，两大技术人才的加持一度让弯弯电积的发展进入了另一个阶段。师徒二人在经过不断的试验和研究后决定采用全新的鳍式长效应晶体管。
而这一项史无前例的技术不仅震惊了所有人，同时突破了当时世界都十分头疼的进程瓶颈，直接跳过150纳米成功达到130纳米的进程，正是由于二人的大胆创新以及过硬的知识以及技术，所以不仅让弯弯电积的半导体技术与IMB持平，同时摆脱了米国相关技术的依赖。
江长在是先进制程研发的顶级高手，他在弯弯积电呆了十七年，主要为弯弯积电研发每一代设备的先进科技，特别是铜制程。
当时江长在主要负责先进模组。周义尚的公司位置是研发副总裁，他退下来之后，将本来属于江长在的副总裁位置给了别人。
这件事也成为了2009年江长在离开弯弯电积的原因之一，说实在的确实让人心寒。
而南韩星星公司恰恰在这时候成功挖走了江长在！
失去了才知道珍惜，弯弯电积因为江长在的离开，一直无法突破28nm工艺制程。弯弯电积开始担忧了，如果无法突破则会影响弯弯电积在芯片领域的地位，于是又把已经退休3年的周义尚再次邀请回公司。
已经上年龄的周义尚回到弯弯电积之后，想要在法律层次上遏止江长在去南韩星星，还要在核心技术上突破从而继续领先南韩星星。但事与愿违，江长在还是去南韩星星负责技术研发了。
南韩星星之幸就是挖到了江长在，迅速帮助南韩星星突破了28nm工艺以后，继续研发20nm工艺，而研发20nm则必须采用先进的FinFET科技。
南韩星星研发20nm制程，这需要采用全新的FinFET技术.。胡明正就是FinFET技术的研发专利人，也是江长在的师傅，因此对FinFET技术比较熟悉。所以江长在让南韩星星直接跳过20nm工艺，开始研发14nm，超越了弯弯电积16nm工艺。
原来南韩星星的制程技术是弱于弯弯电积的，就是遇到了江长在反而成就了领先技术，更是因此获得了不少果苹的订单，本来这些单子应该是弯弯电积的。气的弯弯电积起诉了江长在泄露核心技术，弯弯电积股价更是暴跌。
2017年才加入腾飞一芯，耗时三年就完成了28nm、14nm、12nm工艺研发及量产，更是完成7nm工艺的技术研发。厉害的是把14nm的制良率大幅提高至95%。当时的良品率只有3%而已，目前已开始对5nm的研发。
江长在来到腾飞一芯三年时间，就获得了非常好的成绩，五个世代的工艺技术研发，放在其他公司可能需要十几年才可能做得到！
这样的技术牛人，简直就是挂壁一般的存在！
而现在许飞扬就准备直接挖墙脚，让弯弯电积和南韩星星多走几年弯路，这对华夏的芯片产业也是个大好事！
“江先生，您好！很高兴见到您！”
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