只可惜计划赶不上变化，现在的大米公司需要重新的规划新的产品，同时在接下来的市场竞争之中，继续把握着公司应有的优势。
而今年的上游的硬件厂商也实行了迭代升级的变化。
除了SOC处理器芯片的升级之外，在屏幕等多个方面都有了一定的升级。
让人意外的是目前的曙光半导体也开始全面的步入了对于闪存和运存芯片的研发。
相比于传统的运存和闪存技术，这一次的曙光半导体，所研发的闪存和运存技术是一种全新的技术。
而这项技术自然而然是来自于目前的徐聪。
超粒子高速固态闪存和运存技术。
显然目前的这项技术将会是未来曙光半导体的一大杀器，甚至很有可能这项技术将会霸占未来闪存和运存的市场。
这类技术就是讲闪存之中的存储例子进行重新排列，通过通电之后进行离子之间的交换最终存储相应的数据。
这类闪存和运存的速度已经完全的超越了目前市面上所有的硬盘。
并且其整体的研发难度也相比于原有的技术层面要容易许多，而采用这类闪存和运存技术的硬件，也将会在今年的年底正式上市。
其中生产出来的闪存和运存的规格也分成了两种不同的规格。
其中的闪存分为CH1.0和CH1.1两种不同规格的闪存。
其中作为最基础版本的GH1.0闪存在单通道的速度方面达到了10.5Gbps，仔细换算下来的话，整体的运存速度可以达到1.3GB/S。
同时这类的闪存芯片也支持同时读写和读取，支持多线程任务运行，对于芯片的运算的提升也有着非常明显的效果。
相比于目前所采用的eMMC4.41那差不多104MB/S，速度直接翻了差不多将近10倍，并且在整体的功耗方面还缩减了差不多50%。
同时现在的闪存只支持碳通道的数据传输无法实现读写和读取同时运行。
从目前的数据来看，CH1.0这类的闪存规格的整体的水平已经达到了未来UFS2.1闪存得规格。
整体的闪存水平相比于目前市面上主流的移动设备的闪存水平领先了差不多将近六到七年的时间。
而作为更加优秀的CH1.1则是在1.0基础方面加入了双倍的通道，让整体的速度提升了两倍，同时在闪存的功耗方面相比于1.0版本来说在同处于输出传输高峰值状态的功耗只提升了20%而已。
若是在同等输出的传输水平的时候，1.0版本的闪存相比于1.1的版本来说功耗还高了25%。
可以说在闪存技术方面，这一次的曙光半导体所研发的新型闪存，必然能够将目前整个存储行业完全的炸翻。
而作为固态存储的运存方面，这一次公司特意研发出了全新的CL1.0和CL1.1的固态运存技术。
现在目前市面上面所采用的大多数的固态存储都是采用的LPDDR2的规格。
这类的内存最大特点就是内存容量方面的不同此类规格，支持100mhz到533mhz频率，这也使得整个数据的固态只支持32G的水平。
而在明年的2月份将会推出lpddr3在于原有的第2类基础增加频宽，而数据也会支持的，存储容量扩张到64GB和甚至在后续还会扩张到128GB。
CL1.0最高的频率能够达到1.2Ghz水平，这使得相应的传输的数据拥有了非常大的提升，整体的传输速度能够达到3600Mbps，是目前运存速度的，差不多将近四到五倍的速度。
同时在整体的功耗方面，相比于目前主流的第二代的运存要缩减了35%的功耗。
至于CL1.1主要是在原有的基础之上，频率提升到了1.45Ghz，而传输的速度也提升到了4250Mbps，当然这样超频的结果使得功耗也有一点点的上涨。
不过在同等的传输的情况之下，功耗的表现方面，都基本上和1.0保持相同的水平。
曙光半导体所研发的闪存和运存，将会真正意义上的成为曙光半导体最为有力的武器，当然，这对于曙光半导体来说也将会是一次巨大的危机。
毕竟闪存和运存技术的领先，总会引起一些人或者是一些势力的不满。
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